[发明专利]CMP修整器和其制备方法无效
| 申请号： | 200780035521.9 | 申请日： | 2007-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101547770A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 山下哲二;力田直树;木村高志;尾久雅治;芦泽宏明;鸠野广典;常田昌广 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社;TOTO株式会社 |
| 主分类号： | B24B53/12 | 分类号： | B24B53/12;B24B37/00;B24D3/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉兰;孙秀武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在磨粒周边部分具有优异耐腐蚀性的CMP修整器。对于在一面形成了磨粒固定于金属结合相中而成的磨粒层的磨石基体，在磨粒层的金属结合相表面利用溶胶凝胶法形成包含氧化物的第一保护层，接着向第一保护层的表面喷射在气体中分散脆性材料的微粒而成的气溶胶并使其碰撞来形成包含氧化物厚膜的第二保护层。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 修整 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. CMP修整器，其特征在于，在磨石基体的一面上形成磨粒固定于金属结合相中而成的磨粒层，在至少上述磨粒层的上述金属结合相表面形成用溶胶凝胶法制作的氧化物膜作为第一保护层，在上述第一保护层的表面形成多结晶且在上述结晶之间的界面基本不存在包含玻璃层的晶界层的氧化物厚膜来作为第二保护层。
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