[发明专利]CMP修整器和其制备方法无效
申请号: | 200780035521.9 | 申请日: | 2007-09-21 |
公开(公告)号: | CN101547770A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 山下哲二;力田直树;木村高志;尾久雅治;芦泽宏明;鸠野广典;常田昌广 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社;TOTO株式会社 |
主分类号: | B24B53/12 | 分类号: | B24B53/12;B24B37/00;B24D3/00;H01L21/304 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 熊玉兰;孙秀武 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cmp 修整 制备 方法 | ||
1.CMP修整器,其特征在于,在磨石基体的一面上形成磨粒固定于金属结合相中而成的磨粒层,在至少上述磨粒层的上述金属结合相表面形成用溶胶凝胶法制作的氧化物膜作为第一保护层,在上述第一保护层的表面形成多结晶且在上述结晶之间的界面基本不存在包含玻璃层的晶界层的氧化物厚膜来作为第二保护层。
2.如权利要求1所述的CMP修整器,其特征在于,上述第一保护层至少在上述磨粒与上述金属结合相的接合部附近形成,以被覆上述金属结合相。
3.如权利要求1或2任一项所述的CMP修整器,其特征在于,上述第二保护层是氧化铝。
4.CMP修整器的制备方法,其对于在圆盘状的一面形成了磨粒固定于金属结合相中而成的磨粒层的磨石基体,在至少上述磨粒层的上述金属结合相表面利用溶胶凝胶法形成包含氧化物的第一保护层,接着向上述第一保护层的表面喷射在气体中分散脆性材料的微粒而成的气溶胶并使其碰撞来形成包含氧化物厚膜的第二保护层,由此形成包含上述磨石基体、上述磨粒层、上述第一保护层和上述第二保护层的CMP修整器。
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