[发明专利]光传感器

摘要

一种光传感器，包括具有第一侧部和第二侧部的用于光电转换的半导体薄膜(5)。源电极(9)沿所述半导体薄膜(5)的纵向延伸，并且具有与所述半导体薄膜(5)的第一侧部重叠的侧边部分(9b，9c)，漏电极(10)沿所述纵向延伸，并且具有与所述半导体薄膜(5)的第二侧部重叠的侧边部分(10b，10c)。源电极和漏电极(9，10)的侧边部分(9b，9c，10b，10c)的至少其中之一具有突出部分(9b，10b)和形成于所述突出部分(9b，10b)之间的缺口部分(9c，10c)，其中，所述突出部分沿所述纵向布置，并且与所述半导体薄膜(5)重叠。在所述半导体薄膜(5)与所述源和漏电极(9，10)的侧边部分(9b，9c，10b，10c)的至少其中之一的突出部分(9b，10b)之间形成欧姆接触层(7，8)。

主权项

1、一种光传感器，包括：用于光电转换的半导体薄膜(5；5’；5”)，其具有细长的平面形状，并且包括沿所述细长形状的纵向延伸的第一侧部和沿所述纵向延伸的第二侧部；源电极(9)，其沿所述纵向延伸，并且包括与所述半导体薄膜(5；5’；5”)的所述第一侧部重叠的侧边部分(9b，9c)；漏电极(10)，其沿所述纵向延伸，并且包括与所述半导体薄膜(5；5’；5”)的所述第二侧部重叠的侧边部分(10b，10c)；以及形成于所述半导体薄膜(5；5’；5”)与所述源电极(9)的侧边部分(9b，9c)和所述漏电极(10)的侧边部分(10b，10c)的至少其中之一之间的欧姆接触层(7，8；7’，8’；7”，8”)其特征在于所述源电极(9)的侧边部分(9b，9c)和所述漏电极(10)的侧边部分(10b，10c)的所述至少其中之一包括多个突出部分(9b，10b)和形成于所述突出部分(9b，10b)之间的缺口部分(9c，10c)，其中，所述多个突出部分(9b，10b)沿所述纵向布置且与所述半导体薄膜(5；5’；5”)重叠。