[发明专利]光传感器

权利要求书

1.一种光传感器，包括：

用于光电转换的半导体薄膜(5；5’；5”)，其具有细长的平面形状，并且包括沿所述细长形状的纵向延伸的第一侧部和沿所述纵向延伸的第二侧部；

源电极(9)，其沿所述纵向延伸，并且包括与所述半导体薄膜(5；5’；5”)的所述第一侧部部分重叠的第一侧边部分(9b，9c)；

漏电极(10)，其沿所述纵向延伸，并且包括与所述半导体薄膜(5；5’；5”)的所述第二侧部部分重叠的第二侧边部分(10b，10c)；以及

形成于所述半导体薄膜(5；5’；5”)与所述源电极(9)的第一侧边部分(9b，9c)和所述漏电极(10)的第二侧边部分(10b，10c)的至少其中之一之间的欧姆接触层(7，8；7’，8’；7”，8”)，

其特征在于，

所述源电极(9)的所述第一侧边部分(9b，9c)具有：

沿所述纵向布置的多个第一突出部分(9b)；以及

形成于相邻的两个所述第一突出部分之间的第一缺口部分(9c)，

所述漏电极(10)的所述第二侧边部分(10b，10c)具有：

沿所述纵向布置的多个第二突出部分(10b)；以及

形成于相邻的两个所述第二突出部分之间的第二缺口部分(10c)，

其中，所述源电极(9)和所述漏电极(10)被布置为：

所述第一突出部分(9b)和所述第二突出部分(10b)在垂直于所述纵向的方向上相邻，且所述第一缺口部分(9c)和所述第二缺口部分(10c)在垂直于所述纵向的方向上相邻。

2.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，

所述欧姆接触层(7，8；7’，8’；7”，8”)是对应于所述源电极(9)的所述多个第一突出部分(9b)和所述漏电极(10)的所述多个第二突出部分(10b)的至少其中之一形成的。

3.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，

所述半导体薄膜(5；5’；5”)具有设置在所述第一侧部和所述第二侧部之间的沟道区，所述沟道区具有沿所述纵向的沟道宽度和沿垂直于所述纵向的方向的沟道长度；并且

所述第一缺口部分(9c)和所述第二缺口部分(10c)沿所述沟道宽度方向的尺寸小于所述沟道长度。

4.根据权利要求3所述的光传感器，其特征在于，

还包括形成于所述半导体薄膜(5；5’；5”)的所述沟道区上的沟道保护膜。

5.根据权利要求4所述的光传感器，其特征在于，

所述第一缺口部分(9c)和所述第二缺口部分(10c)沿所述沟道宽度方向的尺寸等于在垂直于所述纵向的方向上相邻的所述第一突出部分(9b)和所述第二突出部分(10b)之间的距离。

6.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，

所述欧姆接触层(7，8；7’，8’；7”，8”)包括对应于所述多个第一突出部分(9b)和所述多个第二突出部分(10b)而布置的分立的多个岛。

7.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，

所述半导体薄膜(5；5’；5”)的宽度不小于所述第一缺口部分的底部和所述第二缺口部分的底部之间的距离。

8.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，

所述欧姆接触层(7’，8’)具有齿梳形状，该齿梳形状具有对应于所述多个第一缺口部分和所述多个第二缺口部分的至少其中之一的多个缺口部分。

9.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，

所述欧姆接触层(7”，8”)包括形成于所述半导体薄膜(5”)的所述第一侧部上的第一条状构件和形成于所述半导体薄膜(5”)的所述第二侧部上的第二条状构件。