[发明专利]具有垂直定向纳米棒的泄漏降低的DRAM存储器单元及其制造方法有效
| 申请号： | 200780034711.9 | 申请日： | 2007-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101553915A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 古尔特杰·S·桑胡;钱德拉·穆利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L29/06;H01L27/108;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述用于在半导体存储器存储单元中降低泄漏电流的方法及结构。可在存取晶体管(400)的沟道区中使用垂直定向的纳米棒(403)。可使纳米棒直径足够小以使所述存取晶体管的所述沟道区中的电子带隙能量增加，从而可用以在所述存取晶体管的关闭状态下限制沟道泄漏电流。在各种实施例中，所述存取晶体管可电耦合到双面电容器(425)。本发明还揭示根据本发明实施例的存储器装置及包括所述装置的系统。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 定向 纳米 泄漏 降低 dram 存储器 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种存储器单元，其包含：垂直沟道，其在所述垂直沟道的第一端处耦合到电容器，所述垂直沟道经配置以增加形成所述沟道的材料的本征带隙能量；电介质，其大致围绕所述垂直沟道；及场电极，其使用所述电介质而耦合到所述垂直沟道。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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