[发明专利]有机光敏器件的较大异质结界面面积的受控生长有效
| 申请号: | 200780032808.6 | 申请日: | 2007-07-10 |
| 公开(公告)号: | CN101548407A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
| 发明(设计)人: | 杨帆;史蒂芬·R·福里斯特 | 申请(专利权)人: | 普林斯顿大学理事会;密歇根大学董事会 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/00 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 一种光电器件和制造光敏光电器件的方法,包括:将第一有机半导体材料淀积在第一电极上,以形成具有突起的连续的第一层,与第一电极相对立的第一层的一侧具有比下面的横向横截面面积大至少三倍的表面面积;将第二有机半导体材料直接淀积在第一层上以形成不连续的第二层,部分第一层保持暴露;将第三有机半导体材料直接淀积在第二层上以形成不连续的第三层,至少部分第二层保持暴露;将第四有机半导体材料淀积在第三层上以形成连续的第四层,填充第一、第二和第三层中任何暴露的间隙和凹处;以及在第四层上淀积第二电极,其中第一电极和第二电极中的至少一个是透明的,并且第一和第三有机半导体材料相对于是施主类型或受主类型的第二和第四有机半导体材料是另一材料类型。 | ||
| 搜索关键词: | 有机 光敏 器件 较大 异质结 界面 面积 受控 生长 | ||
【主权项】:
1. 一种制造光敏光电器件的方法,包括:在第一电极上淀积第一有机半导体材料以形成具有突起的连续的第一层,与所述第一电极相对立的、所述第一层的一侧具有比下面的横向横截面面积大至少三倍的表面面积;在所述第一层上直接淀积第二有机半导体材料以形成不连续的第二层,所述第一层的多个部分保持暴露;在所述第二层上直接淀积第三有机半导体材料以形成不连续的第三层,至少所述第二层的多个部分保持暴露;在所述第三层上淀积第四有机半导体材料以形成连续的第四层,填充所述第一层、第二层和第三层中任何暴露的间隙和凹处;以及在所述第四层上淀积第二电极,其中,所述第一电极和第二电极中的至少一个电极是透明的,以及所述第一和第三有机半导体材料相对于均是施主类型或是受主类型的所述第二和第四有机半导体材料而言均是另一种材料类型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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