[发明专利]有机光敏器件的较大异质结界面面积的受控生长

权利要求书

1.一种制造光敏光电器件的方法，包括：

在第一电极上淀积第一有机半导体材料以形成具有突起的连续的第一层，与所述第一电极相对立的、所述第一层的一侧具有比下面的横向横截面面积大至少三倍的表面面积；

在所述第一层上直接淀积第二有机半导体材料以形成不连续的第二层，所述第一层的多个部分保持暴露；

在所述第二层上直接淀积第三有机半导体材料以形成不连续的第三层，至少所述第二层的多个部分保持暴露；

在所述第三层上淀积第四有机半导体材料以形成连续的第四层，填充所述第一层、第二层和第三层中任何暴露的间隙和凹处；以及

在所述第四层上淀积第二电极，

其中，所述第一电极和第二电极中的至少一个电极是透明的，以及

所述第一和第三有机半导体材料相对于均是施主类型或是受主类型的所述第二和第四有机半导体材料而言均是另一种材料类型。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第三层的多个部分通过所述第二层中的间隙直接接触所述第一层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述第四层的多个部分通过所述第三层中的间隙直接接触所述第二层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

从所述第一层内的任一点到相反材料类型的层的界面边界的距离不大于所述第一有机半导体材料的激子扩散长度的2.5倍，

从所述第二层的任一点到相反材料类型的层的界面边界的距离不大于所述第二有机半导体材料的激子扩散长度的1.5倍，

从所述第三层的任一点到相反材料类型的层的界面边界的距离不大于所述第三有机半导体材料的激子扩散长度的1.5倍，以及

从所述第四层中的任一点到相反材料类型的层的界面边界的距离不大于所述第四有机半导体材料的激子扩散长度的2.5倍。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

与所述第一电极相对立的、所述第一层的所述一侧的表面面积比面向所述第一电极的、所述第一层的一侧的表面面积大至少三倍。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

与所述第一电极相对立的、所述第一层的所述一侧具有比所述下面的横向横截面面积大至少五倍的表面面积。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，

与所述第一电极相对立的、所述第一层的所述一侧的表面面积比面向所述第一电极的、所述第一层的一侧的表面面积大至少三倍。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一有机半导体材料和所述第三有机半导体材料是相同的材料，以及

所述第二有机半导体材料和所述第四有机半导体材料是相同的材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一有机半导体材料和所述第三有机半导体材料是不同的材料，以及

所述第二有机半导体材料和所述第四有机半导体材料是不同的材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，

淀积所述第一有机半导体材料包括在惰性载气中输送所述第一有机半导体材料的蒸汽。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，

所述第一电极具有拥有至少30纳米的均方根粗糙度和至少200纳米的高度变化的暴露表面。