[发明专利]磁记录介质的制造方法以及磁记录和再现装置无效
| 申请号： | 200780032274.7 | 申请日： | 2007-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101512641A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 福岛正人;坂胁彰;广濑克昌 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/85 | 分类号： | G11B5/85;G11B5/65;G11B5/82 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于 静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造磁记录介质的方法包括以下步骤：在非磁性基底的至少一个表面上沉积磁性层；以及在所述磁性层中部分地注入原子，从而使已经接受注入的原子的部分去磁或者使其非晶化，以形成磁性分离的磁记录图形。所述注入的步骤包括以下步骤：在所述沉积步骤之后对所述至少一个表面施加抗蚀剂，部分地减小所述抗蚀剂的厚度，并且用原子辐照所述抗蚀剂的表面，从而通过所述抗蚀剂的厚度减小的部分使得所述原子部分注入到所述磁性层。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 制造 方法 以及 再现 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种制造磁记录介质的方法，包括以下步骤：在非磁性基底的至少一个表面上沉积磁性层；以及在所述磁性层中部分地注入原子，从而使已经接受注入的原子的部分去磁或者使其非晶化，以形成磁性分离的磁记录图形；其中所述注入的步骤包括以下步骤：在所述沉积所述磁性层的步骤之后对所述至少一个表面施加抗蚀剂，部分地减小所述抗蚀剂的厚度，并且用原子辐照所述抗蚀剂的表面，从而通过所述抗蚀剂的厚度减小的部分使得所述原子部分地注入到所述磁性层。
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