[发明专利]磁记录介质的制造方法以及磁记录和再现装置

权利要求书

1.一种制造磁记录介质的方法，包括以下步骤：

在非磁性基底的至少一个表面上沉积磁性层；以及

在所述磁性层中部分地注入原子，从而使已经接受注入的原子的部分去磁或者使其非晶化，以形成磁性分离的磁记录图形；

其中，所述磁记录介质在所述磁性层上具有保护层，

所述注入的步骤包括以下步骤：在所述磁性层上形成所述保护层之后，对所述保护层的表面施加抗蚀剂，部分地减小所述抗蚀剂的厚度，并且用原子辐照所述抗蚀剂的表面，从而通过所述抗蚀剂的厚度减小的部分使得所述原子部分地注入到所述磁性层，

所述原子是选自B、P、Si、F、N、H、C、In、Bi、Kr、Ar、Xe、W、As、Ge、Mo和Sn中的至少一种元素的原子。

2.根据权利要求1的制造磁记录介质的方法，其中通过将形成于压模表面上的凹凸形状转移到所述抗蚀剂的表面，实现所述部分地减小所述抗蚀剂的厚度的步骤。

3.根据权利要求1的制造磁记录介质的方法，其中通过部分地蚀刻所述抗蚀剂的表面，实现所述部分地减小所述抗蚀剂的厚度的步骤。

4.根据权利要求1的制造磁记录介质的方法，其中所述抗蚀剂的厚度减小的部分的厚度在1nm至150nm的范围内。

5.根据权利要求1的制造磁记录介质的方法，其中所述抗蚀剂的厚度减小的部分的宽度为100nm以下，而所述抗蚀剂的其它部分的宽度为2000nm以下。

6.根据权利要求1的制造磁记录介质的方法，其中所述被注入的原子是Kr或Si的原子。

7.根据权利要求1的制造磁记录介质的方法，其中所述磁性层的厚度在3至20nm的范围内。