[发明专利]硅质薄膜形成用组合物及应用所述组合物的硅质薄膜的形成方法

摘要

本发明提供一种硅质薄膜形成用组合物，该组合物具有小的厚度收缩率，以至于可以得到高均匀性的硅质薄膜。本发明还提供一种制造槽隔离结构的方法。根据所述方法，可以均匀地填充甚至具有非常小的宽度的槽。所述组合物含有溶剂和由一种卤代硅烷化合物或者其两种或更多种的组合通过共氨解作用得到的聚硅氮烷化合物。所述方法包含如下步骤：用上述组合物涂布硅基片的表面，并在氧气气氛或含有水蒸气的氧化气氛下，在低于1000℃的温度下对涂布的基片进行热处理，以使该组合物转化成薄膜形式的二氧化硅。

主权项

1. 一种硅质薄膜形成用组合物，包含：一种包含四价硅原子的聚硅氮烷化合物，该四价硅原子的四个键全部与非氢原子连接，并且该聚硅氮烷化合物通过一种由通式(A)表示的卤代硅烷化合物或两种或更多种该卤代硅烷化合物的组合共氨解作用得到，通式(A)为X-(SiY2)n-X (A)其中X是卤素，Y是卤素或氢，条件是每个X和每个Y可以彼此相同或不同，n是2或更大的数；和一种能溶解所述的聚硅氮烷化合物的溶剂。