[发明专利]硅质薄膜形成用组合物及应用所述组合物的硅质薄膜的形成方法

权利要求书

1.一种硅质薄膜形成用组合物，包含：

一种包含四价硅原子的聚硅氮烷化合物，该四价硅原子的四个键全部与非氢原子连接，并且该聚硅氮烷化合物通过一种由通式(A)表示的卤代硅烷化合物或两种或更多种该卤代硅烷化合物的组合共氨解作用得到，通式(A)为

X-(SiY₂)_n-X    (A)

其中X是卤素，Y是卤素或氢，条件是每个X和每个Y可以彼此相同或不同，n是2或更大的数；和

一种能溶解所述的聚硅氮烷化合物的溶剂。

2.根据权利要求1的硅质薄膜形成用组合物，其中所述的聚硅氮烷化合物由二氯甲硅烷与除了二氯甲硅烷外的一种或多种由通式(A)表示的卤代硅烷化合物的组合共氨解作用得到。

3.根据权利要求1或2的硅质薄膜形成用组合物，其中基于含在所述的聚硅氮烷化合物中的全部硅原子的数量，含在所述的聚硅氮烷化合物中的所述的四价硅原子的数量为30原子％。

4.根据权利要求1～3中任一项的硅质薄膜形成用组合物，其特征在于还含有除了所述的聚硅氮烷化合物外的其他聚硅氮烷化合物。

5.根据权利要求1～3中任一项的硅质薄膜形成用组合物，其特征在于还含有由通式(I)表示的聚硅氮烷化合物：

其中，R¹～R³各自独立地为氢、含有1～3个碳原子的烷基、或者取代或未取代苯基；以及r是表示聚合度的整数。

6.一种硅质薄膜的形成方法，包含：

涂布步骤，其中用权利要求1～5中任一项的硅质薄膜形成用组合物涂布硅基片的凹凸表面，和

硬化步骤，其中涂布的基片在氧气气氛或在含水蒸气的氧化气氛下，在低于1000℃的温度下进行热处理，以使所述的组合物转化成薄膜形式的二氧化硅。

7.由权利要求6的硅质薄膜的形成方法形成的硅质薄膜，其特征在于基于全氢聚硅氮烷的厚度收缩率，该硅质薄膜的厚度收缩率为95％或更低。