[发明专利]高可逆锂嵌入性电极活性材料、其制备方法、含有该活性材料的电极及二次电池有效
| 申请号： | 200780031563.5 | 申请日： | 2007-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101507017A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 金寄泰;金珉圭;曹在弼;安谆昊;李栖宰 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟守期;吴晓萍 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有SnPx(0.9≤x≤0.98)组分的电极活性材料、含有所述电极活性材料的电极以及含有所述电极的锂二次电池。还公开了制备具有SnPx(0.9≤x≤0.98)组成的电极活性材料的方法，该方法包括以下步骤：制备一种Sn前体、三辛基膦(TOP)和氧化三辛基膦(TOPO)的混合溶液；和加热该溶液。应用泪滴状单晶SnP0.94粒子作为锂二次电池的阳极活性材料可以提供具有极优良循环性能的阳极，因为该活性材料具有为碳阳极可逆容量的约两倍大的可逆容量，及非常低的不可逆容量；并且该活性材料相对充电/放电过程中Li离子的嵌入/脱嵌而言结构非常稳定，显示出很小的体积变化或没有体积变化。 | ||
| 搜索关键词： | 可逆 嵌入 电极 活性 材料 制备 方法 含有 二次 电池 | ||
【主权项】：
1. 具有SnPx(0.9≤x≤0.98)组成的电极活性材料。
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