[发明专利]Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件和灯有效
| 申请号： | 200780030345.X | 申请日： | 2007-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN101506946A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 三木久幸;塙健三;佐佐木保正 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;C23C14/34;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田 欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供生产率优异并具有优异的发光特性的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法、III族氮化物化合物半导体发光元件以及灯。所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是包括在基板(11)上采用溅射法形成由含有作为III族元素的Ga的III族氮化物化合物半导体构成的半导体层的工序的制造方法，在将所述基板(11)和溅射靶对向地配置的同时，使基板(11)与溅射靶的间隔为20～100mm的范围。另外，在采用溅射法形成半导体层时，施加于基板(11)的偏压值为0.1W/cm2以上。而且，在形成所述半导体层时，向在溅射中使用的室内供给氮和氩从而进行溅射。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 化合物 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是包括采用溅射法在基板上形成由含有作为III族元素的Ga的III族氮化物化合物半导体构成的半导体层的工序的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在将所述基板和溅射靶对向地配置的同时，使所述基板与所述溅射靶的间隔为20～100mm的范围。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社，未经昭和电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780030345.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于获得三维数字图像的电耦合器件
- 下一篇：用于有载分接开关的电动机驱动单元
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
