[发明专利]Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件和灯

权利要求书

1.一种III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是包括采用溅 射法在基板上形成由含有作为III族元素的Ga的III族氮化物化合物半导体 构成的半导体层的工序的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法， 其特征在于，在将所述基板和溅射靶对向地配置的同时，使所述基板与所 述溅射靶的间隔为20～100mm的范围，在形成所述半导体层时，预先使 在溅射中使用的室内的真空度为1.0×10^-3Pa以下之后，向所述室内供给原 料，施加于溅射靶的功率通过高频方式或脉冲DC方式施加。

2.根据权利要求1所述III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，在形成所述半导体层时，相对于溅射靶使磁场旋转或使 磁场摇动。

3.根据权利要求1或2所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制 造方法，其特征在于，通过使氮化物原料在反应器内流通的反应性溅射法 形成所述半导体层。

4.根据权利要求3所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，作为所述氮化物原料使用氮。

5.根据权利要求1或2所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制 造方法，其特征在于，在所述基板与所述半导体层之间形成包含柱状结晶 的缓冲层。

6.根据权利要求5所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，采用溅射法形成所述缓冲层。

7.根据权利要求5所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，由含有作为III族元素的Al的III族氮化物化合物形成所述 缓冲层。

8.根据权利要求7所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，由AlN形成所述缓冲层。

9.根据权利要求5所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，以覆盖所述基板的表面的至少90％以上的方式形成所述 缓冲层。

10.根据权利要求5所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造 方法，其特征在于，构成所述缓冲层的柱状结晶的宽度为0.1～100nm的 范围。

11.根据权利要求5所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造 方法，其特征在于，所述缓冲层的膜厚为10～500nm的范围。

12.根据权利要求5所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造 方法，其特征在于，在由AlN形成所述缓冲层的同时，由GaN形成由III 族氮化物化合物形成的所述半导体层。

13.根据权利要求5所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造 方法，其特征在于，所述基板使用蓝宝石。

14.根据权利要求1所述III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，在采用溅射法形成所述半导体层时，使施加于所述基板 的功率密度为0.1W/cm²以上。

15.根据权利要求1所述III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，在采用溅射法形成所述半导体层时，使施加于溅射靶的 功率密度为0.1W/cm²～100W/cm²的范围。

16.根据权利要求1所述III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，在形成所述半导体层时，向在溅射中使用的室内供给氮 和氩从而进行溅射。

17.根据权利要求1所述III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，在形成所述半导体层时，使在溅射中使用的室内的压力 为10Pa以下。

18.根据权利要求1所述III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，形成所述半导体层时的所述基板的温度为400℃～1300℃ 的范围。