[发明专利]用于控制高真空处理系统中的基板的温度的装置和方法无效
| 申请号: | 200780028834.1 | 申请日: | 2007-06-08 |
| 公开(公告)号: | CN101536148A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
| 发明(设计)人: | T·A·卢斯;R·弗莱姆根;W·J·米勒;A·塞拉鲁 | 申请(专利权)人: | 威科仪器有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/687 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蔡洪贵 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 公开了用于改进高真空处理系统、例如离子束蚀刻(IBE)系统中的被支撑件例如基板的温度控制的装置和方法。该装置包括热电装置(70),所述热电装置(70)将热从支撑被支撑件(20)的支撑件(42)传递到液体冷却的热交换件(44),以调节支撑件(42)的温度。该方法包括利用热电装置(70)冷却支撑件(42),所述热电装置(70)将热传递到液体冷却的热交换件(44)。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 控制 真空 处理 系统 中的 温度 装置 方法 | ||
【主权项】:
1、一种用于控制被支撑件的温度的装置,所述被支撑件经受加热被支撑件的处理,所述装置包括:支撑件,所述支撑件具有被构造成支撑所述被支撑件的表面,所述支撑件接收从被支撑件传递到所述表面的热;与所述支撑件连接的热传递件,所述热传递件包括被构造成用于温度控制液体的流动的通道;供给通道,所述供给通道延伸经过所述支撑件和热传递件,以与限定在所述支撑件的所述表面和被支撑件之间的热传递气体空间连通;以及设置在所述支撑件和热传递件之间的多个热电装置,所述热电装置中的每个热电装置具有接近所述表面地接触所述支撑件的第一侧、和接近所述通道地接触所述热传递件的第二侧,且所述热电装置中的每个热电装置在所述第一和第二侧之间传递热,以调节所述支撑件的温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威科仪器有限公司,未经威科仪器有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780028834.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





