[发明专利]制备有机发光器件的方法以及采用该方法制备的有机发光器件有效
| 申请号： | 200780028751.2 | 申请日： | 2007-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101496192A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 李政炯;李宰承;金正凡 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱 梅;黄丽娟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备有机发光器件的方法，采用该方法制备的有机发光器件以及包括该有机发光器件的电子器件。所述方法包括：(a)在下电极上形成绝缘层，(b)蚀刻该绝缘层以形成从所述绝缘层的上表面延伸至下电极的开孔从而形成最下周长大于最上周长的外伸结构，(c)在所述开孔内的下电极的上表面和除所述外伸结构外的绝缘层的表面形成导电层，(d)在所述导电层上形成有机材料层，该导电层形成于所述开孔内的下电极的上表面，以及(e)在所述导电层的上表面和有机材料层的上表面形成上电极，该导电层设置在所述绝缘层的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 有机 发光 器件 方法 以及 采用 | ||
【主权项】：
1、一种制备有机发光器件的方法，其包括下述步骤：(a)在下电极上形成绝缘层；(b)蚀刻所述绝缘层以形成从该绝缘层的上表面延伸至下电极的开孔从而形成最下周长大于最上周长的外伸结构；(c)在所述开孔中的下电极的上表面和除所述外伸结构外的绝缘层的表面形成导电层；(d)在所述导电层上形成有机材料层，该导电层形成于所述开孔中的下电极的上表面；以及(e)在所述导电层的上表面和有机材料层的上表面形成上电极，该导电层设置在所述绝缘层的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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