[发明专利]制备有机发光器件的方法以及采用该方法制备的有机发光器件

权利要求书

1.一种制备有机发光器件的方法，其包括下述步骤：

(a)在下电极上形成绝缘层；

(b)蚀刻所述绝缘层以形成从该绝缘层的上表面延伸至下电极的 开孔从而形成最下周长大于最上周长的外伸结构；

(c)在所述绝缘层的上表面和除所述外伸结构外的绝缘层的侧表 面部分上形成第一导电层，并且在所述开孔中除相对于所述外伸结构 的下电极的区域外的下电极的上表面部分上形成第二导电层；

(d)在所述第二导电层上形成有机材料层；以及

(e)在所述第一导电层和有机材料层上形成上电极。

2.根据权利要求1所述的制备有机发光器件的方法，其中，所述 绝缘层为硅绝缘层，并且在步骤(b)中，采用干法蚀刻来进行对所述绝 缘层的蚀刻。

3.根据权利要求2所述的制备有机发光器件的方法，其中，所述 硅绝缘层由无定形硅制成。

4.根据权利要求2所述的制备有机发光器件的方法，其中，在步 骤(b)中，在除用于在所述硅绝缘层的上表面中形成开孔的干法蚀刻区 域外的区域内使光刻胶图形化，对该干法蚀刻区域进行干法蚀刻，并 除去该光刻胶以形成所述开孔。

5.根据权利要求2所述的制备有机发光器件的方法，其中，在步 骤(b)中，采用气体混合物对所述硅绝缘层进行干法蚀刻，在所述气体 混合物中，选自由Cl₂、BCl₃、HBr、NF₃、CF₄和SF₆组成的组中的至 少一种气体与选自由He、O₂和H₂组成的组中的至少一种气体混合； 或者至少一种气体选自由Cl₂、BCl₃、HBr、NF₃、CF₄和SF₆组成的组 中。

6.根据权利要求2所述的制备有机发光器件的方法，其进一步包 括：

在步骤(a)之前在所述下电极上形成氧化物膜；以及

在步骤(b)中，在所述硅绝缘层的干法蚀刻后对所述氧化物膜进行 干法蚀刻。

7.根据权利要求6所述的制备有机发光器件的方法，其中，所述 氧化物膜由SiO₂、TiO₂、ZrO₂、HfO₂和Ta₂O₅中的任一种制成。

8.根据权利要求6所述的制备有机发光器件的方法，其中，采用 气体混合物对所述氧化物膜进行干法蚀刻，在所述气体混合物中，选 自由CF₄、CHF₃、NF₃、SF₆、BCl₃和HBr组成的组中的至少一种气体 与选自由He、O₂和H₂组成的组中的至少一种气体混合；或者至少一 种气体选自由CF₄、CHF₃、NF₃、SF₆、BCl₃和HBr组成的组中。

9.根据权利要求1所述的制备有机发光器件的方法，其中，所述 绝缘层包括在所述下电极上形成的下绝缘层和在该下绝缘层上形成的 上绝缘层，该上绝缘层具有比所述下绝缘层的蚀刻速度低的蚀刻速度， 并且

在步骤(b)中，蚀刻所述上绝缘层和下绝缘层以形成从上绝缘层经 由下绝缘层延伸至下电极的开孔，从而形成其中在所述下绝缘层中形 成的下开孔的周长大于在所述上绝缘层中形成的上开孔的周长的外伸 结构。