[发明专利]无电容器单晶体管浮体动态随机存取存储器单元及其形成方法有效
| 申请号： | 200780023929.4 | 申请日： | 2007-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101479852A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 费尔南多·冈萨雷斯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/108;H01L21/8242;G11C11/401;H01L29/786;H01L21/027;H01L21/28;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明包括一种无电容器单晶体管DRAM单元，所述单元包括接纳于半导电材料(18)内的一对间隔开的源极/漏极区域(60、62)。电浮体区域(26)设置于所述半导电材料内的源极/漏极区域之间。间隔开的第一栅极(24)与所述源极/漏极区域之间的体区域分开且以电容方式耦合到所述体区域。一对相对的导电互连第二栅极(44、46)与所述第一栅极间隔开且横向接纳于所述第一栅极外部。所述第二栅极与横向位于所述第一栅极外部且在所述对源极/漏极区域之间的体区域间隔开且以电容方式耦合到所述体区域。本发明揭示形成无电容器单晶体管DRAM单元的线路的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 晶体管 动态 随机存取存储器 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种无电容器单晶体管DRAM单元，其包含：一对间隔开的源极/漏极区域，其接纳于半导电材料内；电浮体区域，其设置于所述半导电材料内的所述源极/漏极区域之间；第一栅极，其与所述源极/漏极区域之间的所述体区域间隔开且以电容方式耦合到所述体区域；及一对相对的导电互连第二栅极，其与所述第一栅极间隔开且横向接纳于所述第一栅极外部，所述第二栅极与横向位于所述第一栅极外部且在所述对源极/漏极区域之间的所述体区域间隔开且以电容方式耦合到所述体区域。
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