[发明专利]无电容器单晶体管浮体动态随机存取存储器单元及其形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及无电容器单晶体管DRAM单元，涉及包含无电容器单晶体管DRAM 单元阵列的集成电路，且涉及形成无电容器单晶体管DRAM单元的线路的方法。

背景技术

半导体存储器(例如，动态随机存取存储器(DRAM))广泛用于计算机系统中 以存储数据。DRAM单元通常包括存取场效晶体管(FET)及存储电容器。所述存取 FET允许数据电荷在读取及写入操作期间向及从所述存储电容器转移。所述存储电容 器上的数据电荷在刷新操作期间周期性地刷新。

也已开发无电容器的单晶体管DRAM单元。一种类型的所述单元使用绝缘体上 半导体晶体管的浮体效应，例如如第6,969,662号美国专利中所揭示。所述存储器单 元可包含部分耗尽或完全耗尽的绝缘体上硅晶体管(或形成于体衬底材料中的晶体 管)，其具有邻近所述体且通过栅极电介质与所述体分离设置的沟道。由于设置于所 述晶体管的体区域下方的绝缘或非导电区域，所述体区域电浮动。通过电荷在所述绝 缘体上半导体晶体管的体区域内的集中来确定所述存储器单元的状态。

虽然本发明的动机是解决上文所标识的问题，但其绝不受此限制。在不解释性或 其它限制性参考本说明书的情况下且根据等效原则，本发明仅受随附权利要求书的字 面文字的限制。

发明内容

附图说明

下文参照以下附图说明本发明的优选实施例。

图1是半导体衬底在根据本发明的方面的过程中的概略俯视平面图。

图2是沿图1中的线2-2截取的概略截面图。

图3是图1的衬底在图1所示的步骤之后的处理步骤处的视图。

图4是沿图3中的线4-4截取的概略截面图。

图5是图4的衬底在图4所示的步骤之后的处理步骤处的视图。

图6是图5的衬底在图5所示的步骤之后的处理步骤处的视图。

图7是图6的衬底在图6所示的步骤之后的处理步骤处的视图。

图8是图7的衬底在图7所示的步骤之后的处理步骤处的视图。

图9是图8的衬底的概略透视图。

图10是图8及9的衬底的概略俯视平面图，其中图8沿图10中的线8-8截取。

图11是图8的衬底在图8所示的步骤之后的处理步骤处的视图。

图12是图11的衬底的替代实施例衬底的概略截面图。

具体实施方式

所述论述首先着手论述形成无电容器单晶体管DRAM单元的线路的实例性方 法。不管所述制造方法如何，本发明的方面还包括无电容器单晶体管DRAM单元， 及包含无电容器单晶体管DRAM单元阵列的集成电路。

参照图1及2，一般使用参考编号10指示衬底(优选地是半导体衬底)。在本 文件的上下文中，术语“半导体衬底”或“半导电衬底”经定义以意指包含半导电材 料的任何构造，所述半导电材料包括但不限于例如半导电晶片(单独或在于其上包含 其它材料的组件中)及半导电材料层(单独或在包含其它材料的组件中)等体半导电 材料。术语“衬底”是指任何支撑结构，其包括但不限于上文所说明的半导电衬底。 衬底10包含基础衬底12，举例来说体单晶硅。然而，衬底10可包含另一衬底(不 管是现有或是尚待开发的衬底)，且举例来说包含绝缘体上半导体衬底。