[发明专利]高级CMOS器件的接触电阻减小的方法无效
| 申请号： | 200780023403.6 | 申请日： | 2007-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101473428A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | F·诺瑞;E-H·金;S·蒂茹帕普利尤;V·帕里哈 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 所揭示的为一种用以降低半导体器件的接触电阻的方法。在一实施方式中，该方法包括提供一具有半导体器件形成于其上的基板，其中该器件具有多个源极和漏极区域以及一栅极结构；通过热退火处理在该基板上实施一硅化处理；及在该硅化处理之后，在该基板上实施一激光退火处理。在另一实施方式中，该方法包括提供一具有注入的掺杂剂的基板；通过一热退火处理而在该基板上实施一硅化处理；及通过激光退火处理来活化该掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 高级 cmos 器件 接触 电阻 减小 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用以降低半导体器件的接触电阻的方法，包含：提供一具有掺杂剂的基板，这些掺杂剂被注入在该基板的多个部份中；在该基板的注入有掺杂剂的部份上形成一硅化物层；以及使该硅化物层下方经注入的部份中的掺杂剂活化。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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