[发明专利]高级CMOS器件的接触电阻减小的方法

权利要求书

1.一种用以降低半导体器件的接触电阻的方法，包含：

提供一具有掺杂剂的基板，这些掺杂剂被注入在该基板的多个部份中；

在该基板的注入有掺杂剂的部份上形成一硅化物层；以及

使该硅化物层下方经注入的部份中的掺杂剂活化。

2.权利要求1所述的方法，其中使掺杂剂活化的步骤更包含：

对该基板进行激光退火。

3.如权利要求2所述的方法，其中激光退火处理是在约1,000℃至约1,415 ℃之间的温度下实施500毫秒或更短的时间。

4.如权利要求1所述的方法，其中形成硅化物层的步骤更包含：

对该基板上的一金属层施以热退火处理。

5.如权利要求1所述的方法，其中形成硅化物层的步骤更包含：

在形成该硅化物层之前，热活化半导体结构中的掺杂剂。

6.如权利要求5所述的方法，其中热活化掺杂剂的步骤更包含：

通过快速退火处理来热活化掺杂剂。

7.如权利要求5所述的方法，其中热活化掺杂剂的步骤更包含：

用激光来扫描该基板。

8.如权利要求1所述的方法，其中该硅化物层是通过热退火处理而形成的， 该热退火处理包括快速热退火处理或激光退火处理中的至少一种。

9.一种用以降低半导体器件的接触电阻的方法，包含：

提供一具有半导体器件形成于其上的基板，其中该器件具有源极和漏极区 域以及栅极结构；

通过热退火处理而在该基板上实施硅化处理；及

在该硅化处理之后，在该基板上实施激光退火处理。

10.如权利要求9所述的方法，更包含：

在该硅化处理之前，在该基板上实施热活化处理。

11.如权利要求10所述的方法，其中实施热活化处理的步骤更包含：

通过快速退火处理在该基板上实施该热活化处理。

12.如权利要求10所述的方法，其中实施热活化处理的步骤更包含：

用激光来扫描该基板。

13.如权利要求9所述的方法，更包含：

活化注入在该半导体器件中的掺杂剂。

14.如权利要求9所述的方法，其中激光退火处理是在约1,000℃至约 1,415℃之间的温度下实施的。

15.如权利要求9所述的方法，其中激光退火处理被实施约500毫秒或更 短的时间。

16.如权利要求9所述的方法，其中实施硅化处理的步骤更包含：

在该基板上沉积金属层；及

通过热退火处理在该基板上形成硅化金属层。

17.如权利要求16所述的方法，其中该金属层选自下列：钨(W)、钛(Ti)、 铪(Hf)、钴(Co)、镍(Ni)、它们的合金、或它们的组合。

18.如权利要求16所述的方法，其中该金属层是通过物理气相沉积法(PVD) 所沉积而成。

19.如权利要求9所述的方法，其中用来实施硅化处理的热退火处理是以 下至少一种：快速热退火处理或激光退火处理。

20.一种用以降低半导体器件的接触电阻的方法，包含：

提供一具有半导体器件形成于其上的基板，其中该器件具有源极和漏极区 域以及栅极结构；

在该器件上沉积金属层；

通过热退火处理在该基板上实施硅化处理以形成硅化物层；及

对该硅化物层下方的源极和漏极区域施以激光退火处理。

21.如权利要求20所述的方法，更包含：

通过激光退火处理来活化注入在该器件中的掺杂剂。