[发明专利]集成电路以及采用该集成电路的装置有效
| 申请号： | 200780023275.5 | 申请日： | 2007-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101473437A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 约翰内斯·F·迪克休斯;安东尼斯·J·M·德格拉乌 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种集成电路，适于在高频下使用，并且包括具有输入和输出的第一电容器以及接地连接，其中，通过在电容器输出与接地连接之间的电阻器将电容器ESD保护，所述电阻器具有足够高的电阻值以防止对于接地连接的RF性能方面的实质性影响。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 以及 采用 装置 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路，适于在高频下使用，并且包括具有输入和输出的第一电容器以及接地连接，其中，通过在电容器输出与接地连接之间的电阻器将电容器ESD保护，所述电阻器具有足够高的电阻值以防止对于接地连接的RF性能方面的实质性影响。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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