[发明专利]集成电路以及采用该集成电路的装置有效
| 申请号: | 200780023275.5 | 申请日: | 2007-06-15 |
| 公开(公告)号: | CN101473437A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
| 发明(设计)人: | 约翰内斯·F·迪克休斯;安东尼斯·J·M·德格拉乌 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集成电路 以及 采用 装置 | ||
1.一种集成电路,适于在高频下使用,所述集成电路是集成的无源部件、互连以及接合焊盘的电路,并且包括具有输入和输出的第一电容器以及接地连接,其中,通过在电容器输出与接地连接之间的电阻器将电容器ESD保护,所述电阻器具有至少是从所述电容器输出至所述集成电路外部的外部地的连接的阻抗10倍的电阻值以防止对于接地连接的RF性能方面的任何巨大扰动。
2.根据权利要求1所述的集成电路,还包括半导体材料的衬底。
3.根据权利要求1或2所述的集成电路,其中,将其它器件装配到所述集成电路,而所述半导体材料的衬底具有至少0.5kΩcm的电阻率。
4.根据权利要求2所述的集成电路,其中,所述第一电容器是由所述衬底中的沟槽限定的沟槽电容器。
5.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述电路是针对0.9-3.0GHz范围内的频率而设计的。
6.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述电阻值在60至200Ω的范围内。
7.根据权利要求2或3所述的集成电路,其中,所述接地连接利用延伸通过所述衬底的垂直互连接地。
8.根据权利要求2或3所述的集成电路,其中,所述电路不具有基于有源部件的任何ESD保护。
9.一种装置,包括根据前述任一权利要求所述的集成电路以及其它部件。
10.一种将包括第一电容器的集成电路与其它部件进行装配的方法,以防止由于静电放电引起的任何故障,其中,使用根据权利要求1-8中任一权利要求所述的集成电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





