[发明专利]相变化记忆体材料的低温沉积无效
| 申请号： | 200780023028.5 | 申请日： | 2007-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101473382A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·F·罗德;托马斯·H·包姆;布莱恩·C·亨德里克斯;格雷格里·T·斯托弗;许从应;威廉·亨克斯;陈天牛;马蒂亚斯·斯滕德 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 郭国清;樊卫民 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭露一种用于在一基材上形成相变化记忆体材料之系统及方法，其中将基材与相变化记忆体硫属化合物合金(chalcogenide alloy)之前驱物于一可产生硫属化合物合金沉积于基材上的条件下接触，其中此条件包含低于350℃的温度，且此接触步骤藉由化学气相沉积或原子层沉积来进行。本发明亦描述多种可用于在基材上形成GST(锗-锑-碲；Ge-Sb-Te)相变化记忆体膜的碲、锗及锗-碲前驱物。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 记忆体 材料 低温 沉积 | ||
【主权项】：
1. 一种在一基材上形成一相变化记忆体材料的方法，该方法包括：将该基材与一相变化记忆体硫属化合物合金(chalcogenide alloy)之前驱物于一产生该硫属化合物合金之沉积于该基材上的条件下接触，其中该条件包含低于350℃的温度，且该接触步骤包含化学气相沉积或原子层沉积。
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