[发明专利]相变化记忆体材料的低温沉积

权利要求书

1.一种在一基材上形成一相变化记忆体材料的方法，该方法包括：

将该基材与一相变化记忆体硫属化合物合金(chalcogenide alloy) 之前驱物于一产生该硫属化合物合金之沉积于该基材上的条件下接 触，其中该条件包含低于350℃的温度，且该接触步骤包含化学气相沉 积或原子层沉积。

2.如权利要求1所述的方法，其更包含制造该相变化记忆体材料 至一相变化记忆体装置中。

3.如权利要求1所述的方法，其中该接触步骤包含化学气相沉积。

4.如权利要求1所述的方法，其中该接触步骤包含原子层沉积。

5.如权利要求1所述的方法，其中该些前驱物包括选自下列组成 的组群中之至少一前驱物：

(i)化学式为R_xMh_y-x之丁基-及丙基-取代烷基氢化物，其中：R为 丁基或丙基，R较佳为第三丁基(t—butyl)或异丙基；M为一具有氧化 态y之金属；x>1；且(y-x)之值可为零；

(ii)化学式为R_xMX_y-x之丁基-及丙基-取代烷基卤化物，其中：R 为丁基或丙基，且R较佳为第三丁基或异丙基；X为F、Cl、或Br； M为一具有氧化态y之金属；x>1；且(y-x)之值可为零；

(iii)化学式为Ge₂(R¹)₆之二锗烷，其中R¹取代基为彼此相同或不 同，且每一个R¹系各自选自H、C₁-C₈烷基、C₁-C₈氟烷基、C₆-C₁₂芳 基、C₆-C₁₂氟芳基、C₃-C₈环烷基、及C₃-C₈环氟烷基；

(iv)化学式为Ge₂(R¹)₄之二锗烷，其中R¹取代基为彼此相同或不 同，且每一个R¹系各自选自H、C₁-C₈烷基、C₁-C₈氟烷基、C₆-C₁₂芳 基、C₆-C₁₂氟芳基、C₃-C₈环烷基、及C₃-C₈环氟烷基；

(v)环化合物，其包含Ge做为一环构成物；

(vi)化学式为Ge(Cp(R²)₅)₂之Ge(II)化合物，其中Cp为在环戊二烯 碳原子上具有R²取代基之环戊二烯，其中R²取代基彼此相同或不同， 且每一个R²系各自选自H、C₁-C₈烷基、C₁-C₈氟烷基、C₁-C₈烷基胺基、 C₆-C₁₂芳基、C₆-C₁₂氟芳基、C₃-C₈环烷基、及C₃-C₈环氟烷基；

(vii)化学式为Ge(R³)₂之Ge(II)化合物，其中R³取代基彼此相同或 不同，且每一个R³系各自选自硅基、硅基烷基及取代硅基烷基；

(viii)化学式为Sb(R⁴)₃之Sb化合物，其中R⁴为苯基、或取代苯基， 且在苯环上的取代基为各自选自H、C₁-C₈烷基、C₁-C₈氟烷基；

(ix)锗化合物(iii)、(iv)、(v)、(vi)及(vii)之Sb及Te类似物；

(x)锑化合物(viii)之Ge及Te类似物：及

(xi)GeI₄、SbI₃及TeI₂。