[发明专利]用于形成屏蔽栅极沟槽FET的结构和方法有效
| 申请号： | 200780023013.9 | 申请日： | 2007-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101473443A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 内森·克拉夫特;克里斯多佛·博古斯洛·科库;保尔·托鲁普 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管(FET)包括延伸进入半导体区域的多个沟槽。每个沟槽包括栅极电极和屏蔽电极，其间含有极间电介质，其中，屏蔽电极和栅极电极电连接在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 屏蔽 栅极 沟槽 fet 结构 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种场效应晶体管(FET)，包括：沟槽，延伸进入半导体区域；屏蔽电极，位于所述沟槽下部，所述屏蔽电极通过屏蔽电介质而与所述半导体区域隔离；极间电介质(IED)，位于所述屏蔽电极上方；以及栅极电极，位于所述IED上方的所述沟槽上部，所述栅极电极通过栅极电介质而与所述半导体区域隔离，其中，所述屏蔽电极电连接至所述栅极电极。
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