[发明专利]用于形成屏蔽栅极沟槽FET的结构和方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

沟槽，延伸进入半导体区域；

屏蔽电极，位于所述沟槽下部，所述屏蔽电极通过屏蔽电介质而与所述半导体区域隔离；

极间电介质，位于所述屏蔽电极上方；以及

栅极电极，位于所述极间电介质上方的所述沟槽上部，所述栅极电极通过栅极电介质而与所述半导体区域隔离，其中，所述屏蔽电极电连接至所述栅极电极。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述半导体区域包括：

第一导电型的漂移区；

第二导电型的体区域，延伸至所述漂移区上方；

第一导电型的源极区，位于邻近所述沟槽的体区域中。

3.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其中，所述栅极电极凹陷进入所述半导体区域的顶部表面的下方，所述场效应晶体管进一步包括：

互联层，使所述源极区与所述体区域接触；以及

介电材料，位于所述栅极电极上方，用于使所述栅极电极与所述互联层彼此隔离。

4.根据权利要求2所述的场效应晶体管，进一步包括所述第一导电型的衬底，所述漂移区在所述衬底上方延伸，其中，所述沟槽经由所述体区域延伸并终止于所述漂移区中。

5.根据权利要求2所述的场效应晶体管，进一步包括所述第一导电型的衬底，所述漂移区在所述衬底上方延伸，其中，所述沟槽经由所述体区域和所述漂移区延伸并终止于所述衬底中。

6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，进一步包括：活动区，其中形成有所述沟槽；以及非活动区，所述屏蔽电极和所述栅极电极延伸至所述沟槽外且延伸进入所述非活动区，在所述非活动区中，所述屏蔽电极和所述栅极电极通过栅极互联层而电连接在一起。

7.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其中，所述屏蔽电极与所述栅极电极之间的电连接是经由形成于所述非活动区的栅极滑槽区中的周期性接触开口而进行的。

8.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其中，所述屏蔽电极通过经由所述沟槽中极间电介质的附加连接而电连接至所述栅极电极。

9.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述栅极电极经由所述沟槽内极间电介质中的至少一个开口而电连接至所述屏蔽电极。

10.根据权利要求1所述的场效应晶体管，还包括：活动区，其中形成有所述沟槽；以及非活动区，其包括沿容纳所述场效应晶体管的管芯的周围延伸的终止区，所述屏蔽电极和所述栅极电极延伸至所述沟槽外且延伸进入所述终止区，其中，所述屏蔽电极和所述栅极电极通过栅极互联层而电连接在一起。

11.根据权利要求10所述的场效应晶体管，其中，所述屏蔽电极和所述栅极电极之间的电连接是经由所述终止区中的一个或多个接触开口而进行的。

12.一种半导体管芯中的场效应晶体管，包括：

活动区，容纳活动单元；

非活动区，其中具有非活动单元；

第一导电型的漂移区；

第二导电型的体区域，位于所述漂移区上方；以及

多个沟槽，延伸通过所述体区域并进入所述漂移区，每个沟槽包括屏蔽电极和栅极电极，所述屏蔽电极配置于所述栅极电极下方；

其中，所述屏蔽电极和所述栅极电极延伸至每个沟槽外且延伸进入所述非活动区，在所述非活动区中，所述屏蔽电极和所述栅极电极通过栅极互联层而电连接在一起。

13.根据权利要求12所述的场效应晶体管，其中，所述半导体区域包括：

所述第一导电型的源极区，位于邻近所述沟槽的体区域中，以及

所述第二导电型的重体区域，位于邻近所述源极区域的体区域中。

14.根据权利要求13所述的场效应晶体管，其中，所述栅极电极在所述沟槽中凹陷以低于所述源极区域的顶部表面，所述场效应晶体管进一步包括：

互联层，使所述源极区与所述重体区域接触；以及

介电材料，位于所述栅极电极上方，用于使所述栅极电极与所述互联层彼此隔离。

15.根据权利要求12所述的场效应晶体管，进一步包括所述第一导电型的衬底，所述漂移区延伸至所述衬底上方，其中，所述沟槽延伸通过所述体区域并终止于所述漂移区中。