[发明专利]半绝缘外延的碳化硅及相关的宽带隙晶体管有效
| 申请号： | 200780022925.4 | 申请日： | 2007-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101473442A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·S·马佐拉 | 申请（专利权）人： | 半南实验室公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 朦;王艳春 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半绝缘外延层的制造方法，该方法包括向衬底或形成在衬底上的第一外延层注入硼离子，以在该衬底的表面上或在该第一外延层的表面上形成注入硼的区域，以及在该衬底的注入硼的区域上或在该第一外延层的注入硼的区域上生长第二外延层，以形成半绝缘外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 外延 碳化硅 相关 宽带 晶体管 | ||
【主权项】：
1. 一种制造半绝缘外延层的方法，包括：向衬底或在所述衬底上形成的第一外延层注入硼离子，以在所述衬底的表面上或所述第一外延层的表面上形成注入硼的区域；以及在所述衬底的所述注入硼的区域上或在所述第一外延层的所述注入硼的区域上生长第二外延层，以形成半绝缘外延层。
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