[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200780022648.7 | 申请日： | 2007-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101473457A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 木下嘉将;龟井英德 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体发光元件，实现不降低生产效率，抑制了因缺陷集中区域的半导体发光元件的电特性的恶化。该半导体发光元件，包括具有比其它区域结晶缺陷密度高的缺陷集中区域(11a)的基板(11)。在基板(11)上，形成了半导体层(12)。缺陷集中区域(11a)上，形成了第一电极(13)。半导体层(12)上，形成了第二电极(14)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体发光元件，其特征在于：包括：基板，具有比其它区域的结晶缺陷密度高的缺陷集中区域，半导体层，形成在上述基板上，第一电极，形成在上述缺陷集中区域上，以及第二电极，形成在上述半导体层上。
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