[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200780022648.7 | 申请日： | 2007-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101473457A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 木下嘉将;龟井英德 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光元件，其特征在于：
包括：
基板，具有比其它区域的结晶缺陷密度高的缺陷集中区域，
半导体层，形成在上述基板上，
缺陷集中部，形成在上述半导体层中，且位于上述缺陷集中区域上，
第一电极，形成在上述缺陷集中部上，以及
第二电极，形成在上述半导体层上，
上述缺陷集中区域形成在上述基板的角部。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：
上述半导体层，包含从上述基板起顺次形成的n型层、发光层及p型 层，
上述第一电极形成在上述n型层上，
上述第二电极形成在上述p型层上。
3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：
上述半导体层，包含从上述基板起顺次形成的n型层、发光层及p型 层，
上述第一电极形成在上述基板上，
上述第二电极形成在上述p型层上。
4.根据权利要求1至3任何一项所述的半导体发光元件，其特征在 于：
上述基板，从上述缺陷集中区域呈周期性排列的晶片上切割下来而 成。
5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：
上述第一电极与上述第二电极之间流过的电流，不流过上述缺陷集中 区域。
6.一种半导体发光元件，其特征在于：
包括：
基板，具有比其它区域的结晶缺陷密度高的缺陷集中区域，
半导体层，形成在上述基板上，
缺陷集中部，形成在上述半导体层中，且位于上述缺陷集中区域上，
第一电极，形成在上述缺陷集中部上，以及
第二电极，形成在上述半导体层上，
上述缺陷集中区域，形成在上述基板的中央部。
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