[发明专利]具有改进的接地结构的射频装置无效
| 申请号： | 200780019019.9 | 申请日： | 2007-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101454873A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·泰·亨特;赵志勇;蒋永东;王晓妍;崔光 | 申请（专利权）人： | 恩吉迈特公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01P1/20 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 美国佐*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可调谐射频装置，比如移相器和滤波器，是通过在衬底上沉积薄膜层并使用各种光刻技术来对这些薄膜层构图来形成的。一层金属薄膜层被构图来形成多个电容器和电感器，并留下至少两个紧临这些电容器和电感器的接地区。由于这些接地区的构图部分彼此电气绝缘，因此通过电气地桥接这些具有电位差的接地区，可以提高装置的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 接地 结构 射频 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种由多层薄膜形成的射频装置，该射频装置包含多个电容器、多个电感器和至少一条信号线和两个接地区，所述至少两个接地区的每一个位于距离所述多个电容器和电感器足够近的位置，以便在射频频谱内相互作用，形成所述至少两个接地区，使得所述至少两个接地区彼此电气绝缘，或者沿同一地具有射频电位差，以及在改进中，形成导电材料桥路，以便电气连接所述至少两个接地区，或者最大限度地减小同一接地区的射频电位差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
