[发明专利]具有改进的接地结构的射频装置无效
申请号: | 200780019019.9 | 申请日: | 2007-05-17 |
公开(公告)号: | CN101454873A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 安德鲁·泰·亨特;赵志勇;蒋永东;王晓妍;崔光 | 申请(专利权)人: | 恩吉迈特公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01P1/20 |
代理公司: | 北京市德恒律师事务所 | 代理人: | 马佑平 |
地址: | 美国佐*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改进 接地 结构 射频 装置 | ||
1.一种由多层薄膜形成的射频装置,该射频装置包含多个电容器、多个电感器和至少一条信号线和至少两个接地区,
所述至少两个接地区的每一个位于距离所述多个电容器和电感器足够近的位置,以便在射频频谱内相互作用,
形成所述至少两个接地区,使得所述至少两个接地区彼此电气绝缘,或者沿同一地具有射频电位差,以及
在改进中,形成导电材料桥路,以便电气连接所述至少两个接地区,或者使同一接地区的射频电位一致。
2.根据权利要求1所述的射频装置,其中导电材料桥路电气地跨越该信号线,从而连接至少两个所述接地区的远离的部分。
3.根据权利要求1所述的射频装置,其中至少一个所述电容器是可调节的。
4.根据权利要求3所述的射频装置,其中所述至少一个所述电容器的介电材料是可调谐的。
5.根据权利要求3所述的射频装置,其中所述至少一个所述电容器的介电材料是掺钇铌酸锌铋或钛酸锶钡。
6.根据权利要求3所述的射频装置,其中所述装置起移相器的作用。
7.根据权利要求3所述的射频装置,其中所述装置起滤波器的作用。
8.根据权利要求3所述的射频装置,其中所述装置起低通滤波器的作用。
9.根据权利要求3所述的射频装置,其中所述装置起高通滤波器的作用。
10.根据权利要求3所述的射频装置,其中所述装置起低通/高通滤波器的作用。
11.根据权利要求1所述的射频装置,其中导电材料桥路至少和用来形成至少一个电感器的线路一样宽。
12.根据权利要求1所述的射频装置,其中导电材料桥路至少是用来形成至少一个电感器的线路的宽度的两倍。
13.根据权利要求1所述的射频装置,其中导电材料桥路和信号线平行,从而连接了同一接地区的几个部分。
14.根据权利要求2所述的射频装置,其中至少一个附加的导电材料桥路与信号线平行,从而连接了同一接地区的几个部分。
15.根据权利要求1所述的射频装置是共面波导。
16.一种由多层薄膜形成的射频装置,该射频结构包括:输入、输出、多个电容器、多个电感器、信号线以及至少两个接地区,
所述至少两个接地区的每一个相对于信号线放置,以便在该装置的输入或输出形成共面波导,
所述至少两个接地区的每一个位于距离所述多个电容器和多个电感器足够近的位置,以便在射频频谱内相互作用,
形成所述至少两个接地区,使得所述至少两个接地区彼此电气绝缘,或者沿同一地具有射频电位差,以及
在改进中,形成至少一个导电材料桥路,以便电气连接所述至少两个接地区,或者使同一接地结构的射频电位一致。
17.根据权利要求16所述的射频装置,其中导电材料桥路和所述信号线平行,从而连接了同一接地区的几个部分。
18.根据权利要求16所述的射频装置,其中导电材料桥路电气地跨越所述信号线,从而连接至少两个所述接地区的远离的部分。
19.根据权利要求17所述的射频装置,其中至少一个附加的导电材料桥路也与信号线平行,从而连接了同一接地区的几个部分。
20.根据权利要求16所述的射频装置是可调谐电容器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造