[发明专利]使用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体及高介电常数栅极电介质的掩埋沟道金属氧化物半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 200780018330.1 | 申请日： | 2007-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101449366A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 爱德华·W·基拉;史蒂文·J·凯斯特;德文德拉·K·萨达纳;加瓦姆·沙希迪;孙艳宁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种包含半导体的异质结构，从底部到顶部其包括Ⅲ-V族化合物半导体缓冲层，Ⅲ-V族化合物半导体沟道层，Ⅲ-V族化合物半导体阻挡层，以及可选的但是优选的Ⅲ-V族化合物半导体帽层。阻挡层可被掺杂，或者优选地不被掺杂。Ⅲ-V族化合物半导体缓冲层和Ⅲ-V族化合物半导体阻挡层包括具有比Ⅲ-V族化合物半导体沟道层的带隙更宽的带隙的材料。由于宽带隙材料被用于缓冲层和阻挡层以及窄带隙材料被用于沟道层，在一定的栅偏压范围之下载流子被限制于沟道层。本发明的异质结构可被用于场效应晶体管中的掩埋沟道结构。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 化合物 半导体 介电常数 栅极 电介质 掩埋 沟道 金属 氧化物 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种半导体异质结构，包括：具有第一带隙的III-V族化合物半导体缓冲层；位于所述缓冲层的上表面上的具有第二带隙的III-V族化合物半导体沟道层；以及位于所述III-V族化合物半导体沟道层的上表面上的具有第三带隙的III-V族化合物半导体阻挡层，其中，所述第一和第三带隙大于第二带隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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