[发明专利]薄硅或者锗片以及由薄片形成的光电池

摘要

薄半导体箔可以利用光反应沉积形成。这些箔可以具有小于100微米的平均厚度。在一些实施例中，半导体箔可以具有大的表面面积，诸如大于约900平方厘米的表面面积。该箔可以是独立的或者可释放地支承在一个表面上。半导体箔可以包括单质硅、单质锗、碳化硅、其的掺杂形式、其合金或者其混合物。该箔可以利用释放层形成，该释放层可以在箔的沉积之后释放箔。这些箔可以以其他方法被图案化、被切割或者被处理，从而形成器件。可以由该箔形成的适当的器件包括，例如光电模块或者显示器控制电路。

主权项

1. 一种片，其包括具有不大于约100微米的平均厚度和至少约900平方厘米的表面面积的晶体硅、晶体锗、碳化硅、氮化硅、其的掺杂材料或者其合金，其中所述片是自由的、或者沿一个表面是自由的而且沿相对表面被可释放地连接到衬底上。