[发明专利]薄硅或者锗片以及由薄片形成的光电池

权利要求书

1.一种片，其包括具有不大于100微米的平均厚度和至少900平方厘米的表面面积的晶体硅、晶体锗、碳化硅、它们的掺杂材料或者它们的合金，其中所述片是自由的、或者沿一个表面是自由的而且沿相对表面被可释放地连接到衬底上，并且其中所述片具有至少70微米的少数载流子扩散长度。

2.如权利要求1所述的片，其中所述片包括晶体硅。

3.如权利要求2所述的片，其中所述晶体硅为多晶的。

4.如权利要求1所述的片，其中所述片具有从20纳米到50微米的平均厚度。

5.如权利要求1所述的片，其中横过衬底，所述片具有小于5微米的厚度标准偏差，除1厘米边缘之外。

6.如权利要求1所述的片，其中所述片是自由结构。

7.如权利要求1所述的片，其中所述片可释放地由附着剂连接到衬底。

8.如权利要求1所述的片，其中所述载流子具有至少5cm²/Vs的电子迁移率。

9.一种形成可分离的无机层的方法，所述方法包括在衬底上的无机下层的上方从反应流沉积无机材料，其中所述下层的材料可溶解于不溶解所述无机材料的溶剂。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述无机材料包括晶体硅、锗、碳化硅、氮化硅、它们的掺杂材料或者它们的合金。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述下层的材料可溶解于水液而所述无机材料在所述水液中是不可溶解的。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述下层的材料可溶解于有机液体而所述无机材料在所述有机液体中是不可溶解的。

13.一种形成可分离的无机层的方法，所述方法包括在具有至少40％的孔隙率的下层材料上方沉积无机材料。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述无机层包括硅、锗、碳化硅、它们的掺杂材料或者它们的合金。

15.如权利要求14所述的方法，所述下层的材料包括硅的氧化物、硅的氮化物或者硅的氮氧化物。

16.一种结构，其包括具有从5微米到100微米的平均厚度的第一无机材料的多个图案化岛，所述图案化岛位于第二无机材料层的顶部，其中所述第二无机材料包括透明衬底或者释放层，其中所述第一无机材料包括硅、锗、它们的掺杂材料或者它们的合金。

17.如权利要求16所述的结构，其中所述第二无机材料包括硅酸盐玻璃。

18.一种用于形成光接收结构的方法，其包括将半导体材料沉积到透明衬底的织构化的表面上，其中沉积包括引导具有由反应流的反应形成的产物组成的反应流。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述透明衬底包括无机玻璃。

20.如权利要求18所述的方法，其中所述反应由光的吸收驱动。

21.如权利要求18所述的方法，其中所述半导体材料包括硅或者掺杂硅。

22.一种用于形成选定区域的以及从5微米到100微米的平均厚度的分离的岛的方法，所述方法包括切割紧固在衬底上的较大的片以形成具有所述选定区域的所述岛，其中所述片包括晶体无机材料。

23.一种包括由权利要求22所述的方法形成的分离的岛的光电模块，其中所述分离的岛包括晶体硅、晶体锗或者它们的晶体合金并且其中所述衬底包括透明无机玻璃。

24.一种包括控制元件以及多个发光元件的显示器，每个元件在所述控制元件的控制下发光，所述控制元件包括具有从5微米到100微米的平均厚度的硅/锗基半导体片，其中所述片与和所述片可操作地交互的晶体管图案化。