[发明专利]具有多个端子的半导体器件的隔离结构无效
| 申请号： | 200780016662.6 | 申请日： | 2007-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN101438414A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 马克·A·高伊道;伊恩·肯尼迪;亚当·R·布朗;詹姆斯·B·帕金 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/06;H01L27/088;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种具有第一区域(10)和第二区域(20)的半导体器件，在所述第一和第二区域中形成栅极沟道(50)，所述栅极沟道包括绝缘栅，用于控制源区(42)通过体区至公共漏区(40)的传导，所述体区被划分为第一(34)和第二(36)体区。通过在第一和第二体区(34、36)之间配备由例如至少一条沟道(52)或漏区的一部分形成的间隙这种简单的方式，提供所述第一和第二区域之间的隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 端子 半导体器件 隔离 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种具有相反的第一(4)和第二(6)主要表面的半导体器件，包括：与所述第一主要表面(4)相邻的第一导电类型的体区(32)，其中，所述体区(32)被划分为第一体区(34)和第二体区(36)，所述第一体区形成了第一区域(10)中第一晶体管器件的一部分，所述第二体区形成了第二区域(20)中第二晶体管器件的一部分；从所述体区(32)延伸至所述第二主要表面(6)的、导电类型与所述第一导电类型相反的第二导电类型的漏区(40)；位于所述第一主要表面(4)上的第二导电类型的多个源区(42)；在所述第一体区域(34)和所述第二体区域(36)中延伸的多个栅极沟道(50)，所述栅极沟道(50)包括：多个绝缘栅，控制所述源区(42)通过所述体区(32)至所述漏区(40)的传导；以及所述第一和第二体区(34、36)之间的隔离区(44)，所述隔离区(44)是以如下方式形成的：借助于将位于所述第一和所述第二体区(34、36)之间的体区(32)截断了的至少一个间隙来形成隔离区(44)，而没有在源区(42)、漏区(44)或所述第一和第二区域(10、20)之间的体区(32)中形成额外的边缘边界。
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