[发明专利]具有被约束的自旋电子掺杂剂的自旋电子器件及相关方法无效
| 申请号： | 200780016411.8 | 申请日： | 2007-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101438413A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 黄向阳;塞姆德·哈里洛夫;J·A·C·S·F·伊普敦;伊利佳·杜库夫斯基;迈尔柯·伊萨;罗伯特·J·梅尔斯 | 申请（专利权）人： | 梅尔斯科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/66 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种自旋电子器件，可以包括至少一个超晶格和至少一个与所述至少一个超晶格耦合的电接触件，所述至少一个超晶格包含多个层组。每一个层组都可以包括限定具有晶格的基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层、约束在邻近基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层、以及自旋电子掺杂剂。该自旋电子掺杂剂可以被所述至少一个非半导体单层约束在基础半导体部分的晶格内。在一些实施例中，可以不需要超晶格的重复结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 约束 自旋 电子 掺杂 电子器件 相关 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种自旋电子器件，包含：至少一个超晶格；以及与所述至少一个超晶格耦合的至少一个电接触件；所述至少一个超晶格包含多个层组，每一个层组都包含限定具有晶格的基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，约束在邻近基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层，以及被所述至少一个非半导体单层约束在基础半导体部分的晶格内的自旋电子掺杂剂。
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