[发明专利]用于介电薄膜的原子层沉积的化学品的光激发的方法和装置无效
| 申请号： | 200780016253.6 | 申请日： | 2007-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN101438391A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | K·K·辛格;M·马哈贾尼;S·G·加那耶姆;J·约德伏斯基;B·麦克道尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C30B23/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明大体来说提供一种沉积材料的方法，并且更明确地说，本发明的实施例有关于使用光激发技术来沉积阻障层、种层、导电材料、以及介电材料的化学气相沉积制程以及原子层沉积制程。本发明的实施例大体来说提供辅助制程方法及设备，其中可执行该辅助制程以提供均匀沉积的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜 原子 沉积 化学品 激发 方法 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种在一基材上形成一金属氮化物的方法，包含：将一基材设置在一处理腔室内；使该基材暴露在一沉积气体中，其包含一含金属前驱物以及一含氮前驱物；在该处理腔室内使该沉积气体暴露在从一UV来源衍生出的能量束中；以及沉积一金属氮化物在该基材上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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