[发明专利]用于介电薄膜的原子层沉积的化学品的光激发的方法和装置

权利要求书

1.一种用于处理多个基材的批次腔室，包含：

腔室外罩，含有处理区；

晶舟，位于所述处理区中，用以固持一批垂直堆栈的基材；以及

激发组件，用以激发通入所述处理区内的制程气体的物种，所述激发组件 设置在所述腔室外罩内，其中所述激发组件包含阳极单元和阴极单元，所述阴 极单元被配置成将所述制程气体扩散进入所述处理区中，并且所述阳极单元或 所述阴极单元沿着所述晶舟的垂直方向延伸。

2.如权利要求1所述的批次腔室，更包含含有所述处理区的内腔室，其中 所述激发组件是位在所述内腔室中。

3.如权利要求1所述的批次腔室，其中所述激发组件是与所述处理区相 邻。

4.如权利要求1所述的批次腔室，更包含注入组件，用以将所述制程气体 注入所述处理区，且其中所述激发组件是位在所述注入组件内。

5.如权利要求1所述的批次腔室，更包含所述制程气体的注入组件和排气 组件，其中所述激发组件是用来激发位在所述注入组件和所述排气组件之间的 所述制程气体的物种。

6.如权利要求1所述的批次腔室，其中所述阳极单元和所述阴极单元适以 沿着所述晶舟的垂直方向来提供激发物种。

7.如权利要求6所述的批次腔室，其中所述阳极单元沿着所述处理区实质 垂直延伸且所述阴极单元沿着所述处理区实质垂直延伸。

8.如权利要求1所述的批次腔室，其中所述阴极单元是相对于所述阳极单 元而水平地移位。

9.如权利要求1所述的批次腔室，其中所述激发组件是选自包含有等离 子体源、UV源、和离子源的群组中。

10.如权利要求1所述的批次腔室，其中所述激发组件是中空阴极发光放 电UV源。

11.如权利要求1所述的批次腔室，更包含注入组件，用来将所述制程气 体注入所述处理区，其中所述阳极单元是所述注入组件的面板。

12.如权利要求1所述的批次腔室，更包含所述制程气体的注入组件，其 中所述阴极单元是位于所述注入组件与所述晶舟之间的筛网(mesh)，且将所述 注入组件与所述筛网设置成可限制其中的等离子体。

13.一种用于处理多个基材的批次腔室，包含：

腔室外罩，含有处理区；

晶舟，位于所述处理区中，用以固持一批垂直堆栈的基材；

激发组件，用以激发通入所述处理区内的制程气体的物种，所述激发组件 设置在所述腔室外罩内，其中所述激发组件包含阳极单元和阴极单元，所述阳 极单元或所述阴极单元沿着所述晶舟的垂直方向延伸；以及

注入组件，用来将所述制程气体注入所述处理区，其中所述阴极单元是所 述注入组件的面板。

14.一种用于批处理数个基材的方法，包含：

处理一批次的垂直堆栈在腔室的晶舟内的基材；

注入制程气体到所述腔室内；及

激发所述腔室中激发区内的所述制程气体的物种，其中所述激发区沿着垂 直堆栈在所述晶舟内的所述批次基材的垂直方向延伸，其中所述制程气体的物 种是在所述制程气体的注入组件内被激发。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述方法为ALD制程的一部分，包 含：

注入第一制程气体到处理区中；

清洁所述处理区，以移除所述第一制程气体；

注入第二制程气体到所述处理区中；

清洁所述处理区，以移除所述第二制程气体。

16.如权利要求14所述的方法，其中所述制程气体的物种是在邻近所述晶 舟处被激发。

17.如权利要求14所述的方法，其中激发所述物种的步骤包含点燃所述制 程气体的注入组件内的等离子体。

18.如权利要求14所述的方法，其中激发所述物种的步骤包含点燃所述基 材的处理区中的等离子体。