[发明专利]改进的薄化法制造的玻璃绝缘体上的半导体无效
| 申请号： | 200780014202.X | 申请日： | 2007-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101438395A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 冯江蔚;K·P·加德卡里;J·F·麦齐;M·J·莫尔;M·A·斯托克 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/425 | 分类号： | H01L21/425 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 制造玻璃上半导体(SiOG)结构的方法和设备，其包括：对给体半导体晶片的注入表面进行离子注入过程，在该给体半导体晶片中产生脱落层；采用电解使脱落层的注入表面与玻璃基片结合；将脱落层与给体半导体晶片分离，因而露出至少一个裂开的表面；和对至少一个裂开的表面进行湿蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 法制 玻璃 绝缘体 半导体 | ||
【主权项】：
1. 一种形成玻璃上半导体结构的方法，该方法包括：对给体半导体晶片的注入表面进行离子注入操作，产生给体半导体晶片的脱落层；采用电解将脱落层的注入表面与玻璃基片结合；使脱落层与给体半导体晶片分离，露出至少一个裂开的表面；和在湿蚀刻过程之前或之后，在不使用氢退火操作的情况下，对至少一个裂开的表面在约20-100℃进行湿蚀刻过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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