[发明专利]改进的薄化法制造的玻璃绝缘体上的半导体

权利要求书

1.一种形成玻璃上半导体结构的方法，该方法包括：

对给体半导体晶片的注入表面进行离子注入操作，产生给体半导体晶片的 脱落层；

采用电解将脱落层的注入表面与玻璃基片结合；

使脱落层与给体半导体晶片分离，露出给体半导体晶片的第一裂开表面和 脱落层的第二裂开表面；和

对第一裂开表面和第二裂开表面中的至少一个在20-100℃范围内进行湿 蚀刻过程，且在湿蚀刻过程之前或之后均不使用氢退火过程。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，至少对脱落层的第二裂开表面 进行湿蚀刻步骤。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，

湿蚀刻步骤至少应用于脱落层的第二裂开表面；和

湿蚀刻步骤至少应用于给体半导体晶片的第一裂开表面。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿蚀刻过程包括至少一个 以下步骤：

在20-60℃范围内的温度下进行；

使第一裂开表面和第二裂开表面中的至少一个接触酸溶液和碱溶液中的 一种。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述湿蚀刻过程包括使第一裂 开表面和第二裂开表面中的至少一个接触包括氢氟酸、硝酸和乙酸中至少一种 的酸溶液。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述湿蚀刻过程包括使第一裂 开表面和第二裂开表面中的至少一个接触包含水的酸溶液和包含水的碱溶液 中的一种。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述湿蚀刻过程包括使第一裂 开表面和第二裂开表面中的至少一个接触包含碱蚀刻剂的碱溶液。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述湿蚀刻过程包括使第一裂 开表面和第二裂开表面中的至少一个接触包含选自KOH、NH4OH、氢氧化四甲铵 (TMAH)的碱蚀刻剂的碱溶液。

9.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述湿蚀刻过程包括使第一裂 开表面和第二裂开表面中的至少一个接触包含添加剂的酸溶液和包含添加剂 的碱溶液中的一种。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述湿蚀刻过程包括使第一 裂开表面和第二裂开表面中的至少一个接触包含添加剂的酸溶液，所述添加剂 是以下的一种：异丙醇、过氧化氢和臭氧化水。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述湿蚀刻过程包括使第一 裂开表面和第二裂开表面中的至少一个接触包含添加剂的碱溶液，所述添加剂 是以下的一种：异丙醇、过氧化氢和臭氧化水。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括至少一个以下步骤：

蚀刻过程以包括对第一裂开表面和第二裂开表面中的至少一个进行含蚀 刻剂的溶液的搅拌。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述结合步骤包括：

对玻璃基片和给体半导体晶片中的至少一个进行加热；

通过脱落层，使玻璃基片与给体半导体晶片直接或间接接触；和

在玻璃基片和给体半导体晶片上施加电压电势，以诱发该结合。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述给体半导体晶片选自下 组：硅(Si)、掺杂锗的硅(S iGe)、碳化硅(SiC)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、GaP 和InP。

15.一种形成玻璃上半导体结构的方法，该方法包括：

使用电解，使给体半导体结构的表面与玻璃基片结合；

通过脱落，将结合在玻璃基片上的层从给体半导体结构分离，因而露出给 体半导体结构的第一裂开表面和结合在玻璃基片上并从给体半导体结构分离 的层的第二裂开表面；和

对给体半导体结构的第一裂开表面和分离的层的第二裂开表面中的至少 一个在20-100℃范围内进行湿蚀刻过程，且在湿蚀刻过程之前或之后均不使用 氢退火过程。