[发明专利]用于制造包含每单位面积有高电容的电容器的半导体组件的方法

摘要

本发明提供一种制造半导体组件(20)之方法，该半导体组件(20)包含每单位面积具有高电容之电容器(24)。该组件系形成于绝缘体上半导体(SOI)衬底(26)中及上，该SOI衬底(26)具有第一半导体层、在该第一半导体层上的绝缘体(30)层(32)、以及覆于该绝缘体层上之第二半导体层(28)。该方法包括于该第一半导体层(32)中形成第一电容器电极(48)，以及沉积包括Ba_1-xCaxTi_1-yZr_yO₃之电介质层(52)覆于该第一电容器电极(48)上。沉积与图案化导电材料，以形成覆于该电介质层(52)上之第二电容器电极(54)，因此形成具有高介电常数电介质(52)之电容器(24)。接着，MOS晶体管(22)系形成于该第二半导体层(28)的一部分中，该MOS晶体管，尤其是该MOS晶体管之栅极电介质(56)，其形成系与电容器之形成无关，且与该电容器电性隔离(38)。

主权项

1、一种用于制造半导体组件(20)的方法，该半导体组件(20)包含绝缘体上半导体衬底(26)，该绝缘体上半导体衬底(26)具有第一半导体层(32)、在该第一半导体层上的绝缘体层(30)、以及覆于该绝缘体层上的第二半导体层(28)，该方法包括下列步骤：蚀刻孔洞(44)通过该绝缘体层(30)，以暴露该第一半导体层(32)的一部分(43)；沉积第一金属层(50)覆于该第二半导体层(28)上且进入该孔洞(44)中，该第一金属层(50)与该第一半导体层的暴露部分(43)接触；沉积电介质层(52)覆于该第一金属层上，该电介质层(52)包括Ba1-xCaxTi1-yZryO3；沉积第二金属层(54)覆于该电介质层(52)上；在超过450℃的温度下退火该电介质层(52)；除去一部分的该第一金属层(50)、该电介质层(52)以及覆于该第二半导体层(28)上的该第二金属层(54)，以暴露该第二半导体层的表面；在该第二半导体层(28)的该表面形成栅极绝缘体层(56)；以及沉积与图案化栅极电极材料层(58)，以形成覆于该栅极绝缘体层上的栅极电极(70)。