[发明专利]以不同的宽度构图亚光刻特征

摘要

一种处理器件的衬底的方法，包括以下步骤。在所述衬底(12)之上形成覆层(14)。在所述覆层(14)之上形成虚设层(DL)，所述覆层具有顶表面。蚀刻所述虚设层(DL)以形成不同的宽度的构图的虚设部件(DA、DB、DC)，并且暴露所述虚设部件的侧壁(30N、31N、32N、33N)和在所述虚设部件侧旁的所述覆层(14)的部分的所述顶表面。在所述器件之上淀积隔离物层(18C)覆盖所述构图的虚设部件(DA、DB、DC)和所述覆层(14)的暴露的表面。回蚀刻所述隔离物层(18C)，在间隔超过最小间隔的所述构图的虚设部件(DA、DB、DC)的侧壁的侧旁形成侧壁隔离物(30N、31N、32N、33N)并在间隔小于所述最小间隔的所述构图的虚设部件的侧壁之间形成超宽隔离物。剥离所述构图的虚设部件。暴露在所述侧壁隔离物(30N、31N、32N、33N)侧旁的部分所述衬底。通过蚀刻所述衬底构图所述衬底(12)的暴露的部分。

主权项

1. 一种处理器件的衬底(12)的方法，包括以下步骤：在所述衬底(12)上形成具有顶表面的覆层(14)；在所述覆层(14)的所述顶表面之上形成虚设层(DL)；以不同宽度的图形构图所述虚设部件(17)，并暴露所述虚设部件的侧壁和在所述虚设部件(17)侧旁的所述覆层(14)的所述顶表面的部分；淀积隔离物层(18)覆盖所述构图的虚设部件，并在间隔超过最小间隔的所述构图的虚设部件(DA、DB、DC)的所述侧壁的侧旁形成包括侧壁隔离物(30N、31N、32N、33N)的隔离物，并且在间隔小于所述最小间隔的所述构图的虚设部件(DA、DB、DC)的侧壁之间形成超宽隔离物(18W)；剥离所述构图的虚设部件(DA、DB、DC)；暴露在所述隔离物(30N、31N、32N、33N)侧旁的所述衬底(12)的部分；以及通过蚀刻所述衬底来构图所述衬底(12)的暴露的部分。