[发明专利]以不同的宽度构图亚光刻特征

权利要求书

1.一种处理器件的衬底(12)的方法，包括以下步骤：

在所述衬底(12)上形成具有顶表面的覆层(14)；

在所述覆层(14)的所述顶表面之上形成虚设层(DL)；

以不同宽度的图形构图所述虚设层(DL)以形成构图的虚设部件(17)，并暴露所述虚设部件的侧壁和在所述虚设部件(17)侧旁的所述覆层(14)的所述顶表面的部分；

淀积隔离物层(18C)覆盖所述构图的虚设部件，并在间隔超过最小间隔的所述构图的虚设部件(DA、DB、DC)的所述侧壁的侧旁形成包括侧壁隔离物(30N、31N、32N、33N)的隔离物，并且在间隔小于所述最小间隔的所述构图的虚设部件(DA、DB、DC)的侧壁之间形成超宽隔离物(18W)；

剥离所述构图的虚设部件(DA、DB、DC)；

暴露在所述侧壁隔离物和所述超宽隔离物侧旁的所述衬底(12)的部分；以及

通过蚀刻所述衬底来构图所述衬底(12)的暴露的部分。

2.根据权利要求1的方法，包括在构图所述虚设层(DL)之前，在所述虚设层(DL)之上形成具有不同宽度的构图的开口的构图掩模。

3.根据权利要求1的方法，其中所述虚设层(DL)包括多晶硅的均厚层。

4.根据权利要求1的方法，其中所述覆层(14)包括氮化硅的均厚层。

5.根据权利要求1的方法，其中所述隔离物层(18C)包括硬掩模材料。

6.根据权利要求5的方法，其中所述隔离物层(18C)包括氧化硅。

7.根据权利要求1的方法，其中淀积所述虚设层(DL)作为保形层，形成由多晶硅构成的虚设掩模层。

8.根据权利要求7的方法，其中包括通过RIE构图进行构图所述虚设掩模层。

9.根据权利要求1的方法，其中通过RIE来蚀刻所述衬底(12)。

10.根据权利要求1的方法，包括以下步骤：

使用所述隔离物作为硬掩模将所述覆层形成为构图的覆层；

然后，使用所述构图的覆层作为掩模通过RIE蚀刻所述衬底以形成隔离沟槽；

然后，在所述器件上淀积隔离介质层过填充所述隔离沟槽；

平坦化所述隔离介质；以及

剥离所述构图的覆层。

11.一种处理器件的衬底的方法，包括以下步骤：

在所述器件的所述衬底上形成覆层，所述覆层具有顶表面；

在所述覆层的所述顶表面之上形成虚设层；

在所述虚设层之上形成具有不同宽度的构图的开口的构图掩模；

通过所述构图的开口进行蚀刻延伸穿过所述虚设层以形成不同宽度的构图的虚设部件，并暴露所述虚设部件的侧壁和在所述虚设部件侧旁的所述覆层的所述顶表面的部分；

剥离所述构图掩模以暴露所述构图的虚设部件的顶表面；

在所述器件之上淀积保形隔离物层以覆盖所述构图的虚设部件(DA、DB、DC)和所述覆层的暴露的表面；

通过回蚀刻所述保形隔离物层形成亚光刻宽度图形的第二图形，在间隔超过最小间隔的所述构图的虚设部件的所述侧壁的侧旁形成包括侧壁隔离物的隔离物，并且在间隔小于所述最小间隔的所述构图的虚设部件的侧壁之间形成超宽隔离物；

剥离所述构图的虚设部件；

使用所述侧壁隔离物和所述超宽隔离物作为硬掩模将所述覆层形成为构图的覆层；以及

使用所述构图的覆层构图所述衬底，将凹陷蚀刻到所述衬底中。

12.根据权利要求11的方法，包括在蚀刻所述虚设层之前，在所述虚设层之上形成具有不同宽度的构图的开口的构图掩模。

13.根据权利要求11的方法，其中所述虚设层包括多晶硅的均厚层。

14.根据权利要求11的方法，其中所述覆层包括氮化硅的均厚层。

15.根据权利要求11的方法，其中所述保形隔离物层包括硬掩模材料。

16.根据权利要求11的方法，其中所述保形隔离物层包括氧化硅。

17.根据权利要求11的方法，包括将所述虚设层淀积为多晶硅的均厚层。