[发明专利]成膜装置及阻挡膜的制造方法

摘要

本发明涉及用于半导体制造工艺的成膜装置及用于半导体的阻挡膜的制造方法。本发明中，在交替流入金属材料气体和反应性气体时，事先流入防逆流气体和辅助气体，使反应性气体和辅助气体加载到防逆流气体的气流中，使之接触于催化剂材料，生成自由基。金属材料气体不接触催化剂材料，催化剂材料不恶化。也可以在自由基生成室(35)和反应室(36)之间配置喷淋板(12)，通过贯通孔(14)将自由基供给到反应室(36)。根据本发明可形成低电阻、且覆盖性能优良的阻挡膜。

主权项

1. 一种成膜装置，其包括：真空槽，配置在上述真空槽内的放置成膜对象物的支架，与上述支架分隔配置的催化剂材料，使上述催化剂材料升温的催化剂加热装置，将化学结构中含金属元素的金属材料气体导入上述真空槽内的金属材料气体供给系统，将与上述金属材料气体反应生成金属化合物的反应性气体导入上述真空槽内的反应性气体供给系统，将不阻碍上述金属化合物反应的防逆流气体导入上述真空槽内的防逆流气体供给系统，和从配置于上述支架附近的排气口将上述真空槽内真空排气的真空排气系统；向上述真空槽导入上述反应性气体的导入口和导入上述防逆流气体的导入口配置在比上述催化剂材料离上述支架更远的位置上，导入上述金属材料气体的导入口配置在上述催化剂材料和上述支架之间。