[发明专利]光电的半导体元件有效
| 申请号： | 200780013240.3 | 申请日： | 2007-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101421890A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | S·卢特根;P·布里克;T·阿尔布雷克特 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S3/04;H01S5/14;H01S5/024;H01S3/108 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曹 若 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 说明了一种光电的半导体元件，包括半导体本体(1)，该半导体本体具有表面发射性的包括垂直发射极层(3)的垂直发射极区域(2)、至少一个设置用于光学抽运所述垂直发射极层(3)的抽运源(4)和辐射穿透表面(26)，在所述垂直发射极层中产生的电磁辐射(31)通过该辐射穿透表面(26)离开所述半导体本体(1)，其中，所述抽运源(4)和垂直发射极层(3)沿垂直方向相互隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1. 光电的半导体元件，包括半导体本体(1)，该半导体本体具有-表面发射性的包括垂直发射极层(3)的垂直发射极区域(2)，-至少一个设置用于光学抽运所述垂直发射极层(3)的抽运源(4)，和-辐射穿透表面(26)，在所述垂直发射极层中产生的电磁辐射(31)通过该辐射穿透表面(26)离开所述半导体本体(1)，其中-所述抽运源(4)和所述垂直发射极层(3)沿垂直方向相互隔开。
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