[发明专利]光电的半导体元件

权利要求书

1.光电的半导体元件，包括半导体本体(1)，该半导体本体具 有

-表面发射性的包括垂直发射极层(3)的垂直发射极区域(2)，

-至少一个设置用于光学抽运所述垂直发射极层(3)的抽运源(4)， 和

-辐射穿透表面(26)，在所述垂直发射极层中产生的电磁辐射(31) 通过该辐射穿透表面(26)离开所述半导体本体(1)，其中

-所述抽运源(4)和所述垂直发射极层(3)沿垂直方向相互隔开，

-所述垂直发射极层(3)布置在所述半导体本体(1)的台型结构 (6)中，

-在所述台型结构(6)的周围环境中至少局部地将包含有金属的材 料(9)施加到半导体本体(1)上，

-所述包含有金属的材料(9)填充所述台型结构(6)的周围环境， 其中以如此厚度施加所述材料，使得其具有和所述台型结构(6)相同 的高度或者所述台型结构被所述材料所超过，

-所述抽运源(4)布置在所述垂直发射极层(3)和所述辐射穿透 表面(26)之间，并且

-所述抽运源(4)和所述垂直发射极区域(2)彼此整体地集成。

2.按权利要求1所述的光电的半导体元件，

其中，所述材料(9)以电镀方式在所述台型结构(6)的周围环 境中沉积。

3.按权利要求1所述的光电的半导体元件，

其中，限定所述台型结构(6)的侧面(27)构造为对抽运辐射来 说反射性的。

4.按前一项权利要求所述的光电的半导体元件，

其中，给所述台型结构(6)的侧面(27)至少局部地涂上材料(23、 24)，所述材料(23、24)对抽运辐射来说具有至少80％的反射性。

5.按权利要求3所述的光电的半导体元件，

其中，所述台型结构(6)的侧面(27)至少局部地按照下列光学 的基础元件中的一种的类型来构造：截锥镜组、棱锥台镜组、组合的 抛物线的集中器、组合的椭圆形的集中器、组合的双曲线的集中器。

6.按权利要求3所述的光电的半导体元件，

其中，所述台型结构(6)的侧面(27)至少局部地设置用于将抽 运辐射导向所述垂直发射极层(3)。

7.按权利要求1所述的光电的半导体元件，

其中，所述垂直发射极区域(3)包括不含掺杂材料的布拉格-反射 镜结构(7)。

8.按前一项权利要求所述的光电的半导体元件，

其中，所述布拉格-反射镜结构(7)布置在所述垂直发射极层(3) 的背向所述抽运源(4)的一面上。

9.按权利要求8所述的光电的半导体元件，

其中，所述光电的半导体元件包括至少一个反射镜(34)，该反 射镜(34)与所述布拉格-反射镜结构(7)一起形成用于在所述垂直发 射极层(3)中产生的电磁辐射(31)的激光谐振腔。

10.按前一项权利要求所述的光电的半导体元件，

其中，在所述激光谐振腔中布置了至少一个光学元件(30、32)， 该光学元件(30、32)与所述光电的半导体元件的半导体本体处于热 接触之中。

11.按前一项权利要求所述的光电的半导体元件，

其中，所述光学元件(30、32)具有下列光学性能中的至少一项 光学性能：选频、频率倍增、反射、光学折射。

12.按前一项权利要求所述的光电的半导体元件，

其中，所述光学元件(30、32)至少局部地由下列光学的基础元 件中的一种基础元件构成：校准器、双折射的滤波器、在光学上非线 性的晶体、反射镜、透镜。

13.按权利要求9所述的光电的半导体元件，

其中，所述激光谐振腔具有最高10毫米的长度(L)。

14.按前一项权利要求所述的光电的半导体元件，

其中，所述激光谐振腔具有最高5毫米的长度(L)。