[发明专利]具有高热导率的半导体晶片

摘要

本发明一般涉及一种外延硅半导体晶片，其具有增加了的热导率，以将热量从器件层传递走，同时还具有对例如闩锁失效和辐射效应失效的常见失效机理的抵抗力。所述半导体晶片包括轻掺杂器件层、高掺杂保护层以及轻掺杂衬底。本发明还涉及一种形成这种外延硅晶片的方法。

主权项

1.一种半导体晶片，包括：衬底，其具有中心轴、通常垂直于所述中心轴的前表面和后表面、圆周边缘、以及从所述中心轴延伸至所述圆周边缘的半径，其中所述衬底具有约1×1017载流子/cm3以下的掺杂剂浓度；硅器件层；以及硅保护层，其被设置在所述器件层和所述衬底之间，所述硅保护层以约6.0×1017载流子/cm3和约1×1020载流子/cm3之间的掺杂剂浓度被掺杂，且具有至少约0.5μm的厚度。