[发明专利]用于半导体QFN/SON器件的铝引线框架无效

专利信息
申请号: 200780011289.5 申请日: 2007-02-02
公开(公告)号: CN101410964A 公开(公告)日: 2009-04-15
发明(设计)人: D·C·阿博特 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: H01L21/44 分类号: H01L21/44;H01L23/58
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 赵蓉民
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种具有铝引线框架(105)的后成型镀层半导体器件,所述铝引线框架带有包括芯片安放垫和多个引线段的结构,其中多个引线段不带有悬臂引线部分。半导体芯片(210)被附着在芯片安放垫上,并且导电连接(212)从芯片跨越到引线段的铝。聚合封装材料(220)如成型化合物覆盖芯片、连接以及铝引线段的部分,不留下悬臂段部分。优选通过非电镀方法将锌层(301)和镍层(302)镀在引线段上没有被封装材料覆盖的那些部分,那些部分包括通过器件单粒化步骤形成的铝段表面(在203b处),并且在所述镍层上有优选为钯的贵金属层(303)。
搜索关键词: 用于 半导体 qfn son 器件 引线 框架
【主权项】:
1.一种不带有悬臂引线的半导体器件,其包含:由铝合金制成的引线框架,所述引线框架具有包括芯片安放垫和多个引线段的结构;半导体芯片,其附着到所述芯片安放垫;导电连接,其从所述芯片跨越到所述引线段的铝表面;聚合封装材料,其覆盖所述芯片、所述连接以及所述铝引线段的部分;锌层,其位于那些引线段部分的铝之上,所述引线段部分没有被所述封装材料覆盖;所述锌层上的镍层;以及所述镍层上的贵金属层。
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