[发明专利]用于半导体QFN/SON器件的铝引线框架

权利要求书

1.一种不带有悬臂引线的半导体器件，其包含：

由铝合金制成的引线框架，所述引线框架具有包括芯片安放垫和多个引线段的结构；

半导体芯片，其附着到所述芯片安放垫；

导电连接，其从所述芯片跨越到所述引线段的铝表面；

聚合封装材料，其覆盖所述芯片、所述连接以及所述铝引线段的部分；

锌层，其位于那些引线段部分的铝之上，所述引线段部分没有被所述封装材料覆盖；

所述锌层上的镍层；以及

所述镍层上的贵金属层。

2.根据权利要求1所述的器件，还包含位于所述引线段部分上的回流金属，所述引线段部分具有镍层。

3.根据权利要求1或2所述的器件，其中所述贵金属是钯；并且所述器件还包括在钯层上的金层。

4.一种加工不带有悬臂引线的半导体器件的方法，其包含以下步骤：

提供铝合金片；

从所述片刻蚀出引线框架结构，所述结构包括芯片安放垫和适用于不带有悬臂引线的器件的多个引线段；

提供具有焊盘的半导体芯片；

在所述芯片安放垫上安放所述芯片；

把所述芯片焊盘互联到各自引线段的铝表面上；

把所述芯片、所述互联以及所述铝引线段的部分封装到聚合材料中，从而使所述引线段不具有悬臂部分；

在没有被聚合材料覆盖的那些引线段部分的铝上形成锌层；

在所述锌层上形成镍层；以及

在所述镍层上形成贵金属层，从而使所述引线段部分适应焊接附着。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述贵金属层包括钯层和最外面的金层。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中形成锌层的步骤包括以下步骤：

通过在封装步骤后将所述器件浸入碱溶液中，清洗没有被聚合材料覆盖的那些铝引线段部分；

通过将所述器件浸入酸溶液中，活化被清洗的铝引线段部分；以及

通过将所述器件浸入锌酸盐镀液中，溶解被活化的引线段部分上的任何氧化铝，并在这些部分上形成锌层。

7.一种加工不带有悬臂引线的半导体器件的方法，其包含以下步骤：

提供铝合金片；

从所述片刻蚀出引线框架条，所述条包括多个单元，每个单元包括芯片安放垫和适用于不带有悬臂引线的器件的多个引线段；

提供具有焊盘的半导体芯片；

在每个各自单元的所述芯片安放垫上安放一个芯片；

把每个芯片的所述焊盘互联到每个单元的各自引线段的铝表面上；

把每个单元的所述芯片、所述互联以及所述铝引线段的部分封装到聚合材料中；

单粒化所述条上的被封装单元，从而使所述引线段不具有悬臂部分并且选择的聚合支撑条继续连接所述单元并保持所述条连贯；

在没有被聚合材料覆盖的那些铝引线段部分上形成锌层，所述铝引线段部分包括由所述单粒化步骤形成的铝段表面；

在所述锌层上形成镍层；以及

在所述镍层上形成贵金属层，从而使所述引线段部分适应焊接附着。

8.根据权利要求7所述的方法，还包含在形成所述贵金属层的步骤后断开所述聚合物支撑条的步骤，从而分离完成的器件。